Samsung Galaxy S8 оснастят новым чипсетом Exynos 8895

   Автор статьи: Роман Черкесов

Благодаря новому процессору производительность смартфона повысится, а расход заряда аккумулятора, наоборот, уменьшится.

Хотя компания Samsung сейчас занимается устранениям неполадок, приводящих к самовозгоранию и взрывам Note 7, она также находит время на разработку следующего флагманского смартфона. Источник из Китая сообщает, что в качестве аппаратной основы флагмана Galaxy S8 (международной версии) выступит новый процессор Exynos 8895 с тактовой частотой 3 ГГц. В основе чипа лежит 10-нм техпроцесс, а максимальная потребляемая мощность составляет всего 5 Вт. Кроме того, Samsung улучшит процесс обработки изображения на 70-80%.

Напомним, что смартфон Galaxy S8 известен под кодовым названием Project Dream. Устройство традиционно выйдет в двух вариантах — с 5,1-дюймовым и 5,5-дюймовым дисплеями, однако на этот раз оба экрана будут изогнутыми. Ходят слухи, что компания Samsung уже запустила производство экранных панелей. Также сообщается об увеличении разрешения дисплея до 4K UHD (3840x2160 пикселей), что должно положительным образом сказаться на VR-возможностях смартфона.

Galaxy S8

На американский рынок флагман, скорее всего, будет поставляться со смартфоном Snapdragon 821 или Snapdragon 830. Объем оперативной памяти может увеличиться до 6 ГБ. На задней панели устройства расположится двойная камера, состоящая из фирменного 12-Мп сенсора и 13-Мп сенсора неизвестной модели производства японской компании Sony. Разрешением фронтальной камеры составит 8 Мп вместо 5 Мп. В качестве программной платформы — Android 7.0 Nougat.

Презентация новинки ожидается накануне международной выставки MWC 2017, то есть 26 февраля.


Иллюстративный материал Samsung.com

© СОТОВИК

Авторизация


Регистрация
Восстановление пароля

Наверх