SK Hynix представила модуль оперативной памяти на 8 ГБ
Первые аппараты, использующие разработку, должны появиться в начале 2017 года.
Несколько месяцев назад производитель Samsung анонсировал новый чип оперативной памяти — 8 ГБ LPDDR4, изготовленный на основе 10-нм техпроцесса и работающий на тактовой частоте 4266 МГц. Модуль может использоваться в смартфонах и планшетах.
Как стало известно, компания не планирует применять разработку в готовящемся флагмане Galaxy S8. Теперь другой южнокорейский производитель SK Hynix представил новое поколение модулей оперативной памяти объемом 8 ГБ для смартфонов, планшетов и компьютеров, которое несколько отличается от конкурентной технологии.
В основе модуля лежит 21-нм технологический процесс. Он содержит четыре чипа по 2 ГБ DRAM с рабочей частотой 3733 МГц и поддерживает работу с флеш-памятью UFS NAND. Предусматриваются два варианта с различным номинальным напряжением: 1,8/1,1 В (уже сейчас доступен для приобретения) и 0,6 В (отличается большей энергоэффективностью и начнет поставляться в первом квартале 2017 года).
Компания SK Hynix находится на втором месте по производству чипов (после Samsung) и на пятом — по производству полупроводников. Среди ее клиентов есть такие крупные бренды, как Apple, ASUS, IBM, Dell и Hewlett-Packard.
© СОТОВИК