Флеш-память уйдет в прошлое
Samsung Electronics и Numonyx совместно разработают спецификацию на память с фазовым переходом, обещающую стать новым типом энергонезависимой памяти.
Технология памяти с фазовым переходом (phase-change memory, PCM, PRAM) основана на уникальных свойствах халькогенидного стекла, обладающего двумя состояниями - кристаллическим с большим сопротивлением (логическая единица) и аморфным с малым сопротивлением (логический ноль), переход между которыми осуществляется при нагревании. Существующие образцы могут находиться даже в четырех отдельных состояниях, что позволяет хранить в одной ячейке сразу два бита. Похожие халькогенидные материалы благодаря меняющемуся коэффициенту преломления используются в традиционных перезаписываемых дисках CD-RW и DVD-RW.
Тем временем совместные разработки STMicroelectronics и Intel уже обрели коммерческую форму в виде PCM-микросхем под кодовым названием Alverstone, которые реализуются ограниченными объемами для некоторых устройств.
Сотрудничество между Samsung и Numonyx направлено на коммерциализацию PCM-памяти в промышленных масштабах. Тем более что PCM превосходит флеш-память типа NOR и NAND по скорости чтения данных при меньшем энергопотреблении. В конечном счете, память с фазовым переходом должна вытеснить флеш-память в сотовых телефонах и смартфонах.
Спецификация на PCM будет готова в этом году, соответствующие устройства появятся в следующем. Эксперты полагают, что пройдет минимум три года, прежде чем PCM окажет значительное влияние на рынок памяти.
По материалам PC World
© СОТОВИК