Флеш-память станет объемнее и дешевле
Intel и Micron Technology произвели первую микросхему флеш-памяти типа NAND объемом 128 Гбит; ранее на рынке были доступны максимум 64-Гбит изделия.
Чипы, построенные в рамках 20-нм техпроцесса, хвастаются вдвое большей плотностью упаковки данных, а также, удовлетворяя требованиям спецификаций ONFI 3.0, производительностью в 333 мегапередач/с. Учитывая, что можно собрать восемь микросхем в одну стопку, объем флеш-памяти способен достигнуть максимума в 1 Тбит (128 Гбайт) на площади, меньшей кончика пальца. Рост емкости флеш-хранилищ приветствуют не только твердотельные накопители, но и смартфоны и планшеты.
Флеш-новинка эксплуатирует сочетание планарной ячеечной структуры с привлечением материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и металлических затворов, что, в отличие от применения стандартных плавающих затворов, позволяет равно как отдельным ячейкам масштабироваться существенно больше, так и подавляет утечки энергии.
Серийное производство 128-Гбит флеш-чипов начнется в первой половине 2012 года, но 64-Гбит варианты уже поступили в сборочные цеха, готовясь к появлению в изделиях в начале наступающего года. Apple и Nokia первыми приступили к продажам смартфонов с 64-Гбайт флеш-хранилищем, и, не исключено, первыми же предложат 128-Гбайт коммуникаторы.
© СОТОВИК