Samsung готовится перейти к 10 нанометрам
Intel и TSMC на позиции догоняющих.
Samsung сообщила о разработке кеш-памяти SRAM (статическая память с произвольным доступом) объемом 128 Мбайт, построенной согласно 10-нм проектным нормам. Это означает, что недалек тот день, когда корейская корпорация объявит о готовности 10-нм мобильных чипсетов.
Если сравнивать с нынешними 14-нм кристаллами, уместно говорить о почти 40-процентном уменьшении размеров чипов наряду с сопутствующим ростом производительности на фоне снижения энергопотребления.
Поскольку Intel в связи с ростом затрат отложила 10-нм микросхемы на 2017 год, Samsung, кажется, идет впереди планеты, опережая и TSMC, крупнейшего в мире контрактного производителя полупроводниковых изделий. Модули SRAM этих вендоров сейчас опираются на 14- и 16-нм нормы соответственно.
Сеул собирается продемонстрировать инженерные образцы новинки на мероприятии International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), которое пройдет с 31 января по 4 февраля 2016 года.
10-нм модули SRAM будут готовы к серийному производству в самом начале 2017 года. Она применяется в качестве кеш-памяти для центральных процессоров, для которых показатели скорости и энергопотребления выступают ключевыми характеристиками, определяющими уровень производительности.
Очевидно, 10-нм наработками воспользуется Galaxy S8, который появится в 2017 году. Ну а процессор Exynos 8 Octa 8890, на базе которого строится грядущий Galaxy S7, так и останется во власти 14-нм подходов, правда, уже во втором их поколении.
© СОТОВИК