Релиз Snapdragon 830 состоится во второй половине 2017 года
В основе процессора также будет использоваться 10-нм техпроцесс FinFET.
Недавно компании Samsung и Qualcomm анонсировали процессор Snapdragon 835, ставший результатом совместной работы. В его основу лег 10-нм техпроцесс FinFET, разработанный южнокорейским брендом. Новинка появится на рынке смартфонов в первой четверти 2017 года. Ожидается, что первыми аппаратами, оборудованными новым чипсетом, могут оказаться Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6, но пока эта информация не получила официального подтверждения.
Ранее в сеть попадали многочисленные утечки о процессоре Snapdragon 830. Теперь источник из Китая сообщил, что релиз чипсета планируется во второй половине 2017 года, несмотря на более ранний выход Snapdragon 835.
По слухам, процессор Snapdragon 830 содержит шесть или восемь вычислительных ядер Kryo 200 и тоже использует 10-нм технологический процесс FinFET. За графику отвечает чип Adreno 519. Предусматривается поддержка скоростных сотовых сетей LTE Cat.12.
© СОТОВИК