Toshiba запустила производство новых 8-Гбайт флеш-микросхем
Автор статьи: Юрий Стрельченко
Японская корпорация приступила к массовому производству флеш-чипов типа NAND, выполненных по 24-нм технологическому процессу. Заявлено, что новый цикл запущен в отношении 64-Гбит изделий с плотностью упаковки два разряда на ячейку — итоговый максимальный объем составляет 8 Гбайт на микросхему.
Инициатива в дальнейшем будет расширена на выпуск 32-Гбит чипов с плотностью три бита на ячейку.
Toshiba также сообщила, что эксплуатирует DDR-технологию, втрое ускоряющую обмен данными с 40 до 133 млн передач в секунду в терминах одноуровневых флеш-ячеек. Анонсированный в начале августа метод помогает снизить энергопотребление и способен, как и большинство флеш-памяти, функционировать асинхронно без нужды в тактовом генераторе. В дальнейшем обещано ускорение производительности вплоть до 400 млн операций обмена данными в секунду.
По материалам Electronista
© СОТОВИК