Samsung разработала первую в мире оперативную память DDR4
Автор статьи: Юрий Стрельченко
… которая работает на скорости более чем вдвое превышающей показатель нынешних DDR3-модулей, притом что энергопотребление снижено. Чипы созданы по 30-нм технологическому процессу.
Заявлено, что скорости передачи данных DDR4-новинок лежат в пределах 12,8-25,6 Гбайт/с, тогда как микросхемы оперативной памяти DDR3 располагают показателем в 12,8 Гбайт/с, а у DDR2 он равен 6,4 Гбайт/с. И если типичная DDR3-память опирается на электрический ток с напряжением 1,5 В, то новые DDR4-микросхемы требуют только 1,2 В, что позволяет говорить о снижении энергопотребления настольных и портативных компьютеров. Для этого применяется технология псевдооткрытой утечки (Pseudo Open Drain), эксплуатируемая в высокопроизводительной графической памяти и позволяющая вдвое снизить потребность в токе при чтении и записи данных.
Стандартизация DDR4 намечена на второе полугодие.
© СОТОВИК